第一百三十一章 光刻机技术路线（第3/3页）

在阳性光刻胶中，曝光区域变得更容易溶解；在阴性光刻胶中，曝光区域变得更不容易溶解。

将硅晶圆浸入显影液中，溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。这样，光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。

光刻胶图案形成后，通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。

在没有线上百科，不对，现在已经有Quora百科了，总之能够准确说出ArF和KrF证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。

毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有ArF这条技术路线。

林本坚说：“ArF的波长是193nm，而KrF光源的波长是248nm，较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”

周新问：“但是ArF他在具体处理更小的制程节点的时候，会出现更多的线性波动和不规则性。

虽然ArF波长更短，但是它的不可控性更高。

这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好，ASML也好，在尝试过ArF之后，都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”

周新话音刚落，林本坚脸色大变，周新知道ArF和KrF，这他能理解。

因为这些都是发表在公开期刊上的内容，但凡对光刻机感兴趣的人，都有机会阅读到。

但是周新能够准确说出不往ArF方向投入的原因，即便从业人员，都没有办法知道的内容。